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產品詳情高真空CVD系統是一款專業在沉底材料上生長高質量石墨烯、碳納米管、碳化硅的專用設備,廣泛應用于在半導體、納米材料、碳纖維、碳化硅、鍍膜等新材料新工藝領域...
高真空CVD系統是一款專業在沉底材料上生長高質量石墨烯、碳納米管、碳化硅的專用設備,廣泛應用于在半導體、納米材料、碳纖維、碳化硅、鍍膜等新材料新工藝領域。
產品特點
高真空CVD系統主要由高溫腔體、石英管、石英支架、氣路系統、分子泵機組、自動化控制系統、冷卻系統等組成。
1、沉底材料可采用銅箔、石墨等;
2、生長腔體采用進口高純石英管,配石英支架、為石墨烯等材料的生長提供潔凈環境;
3、爐膛采用進口高純氧化鋁多晶體纖維,不易掉粉、壽命長且保溫性能好。加熱絲采用優質摻鉬鐵鉻鋁合金加熱絲,溫場均勻,能耗低;
4、密封法蘭均采用不銹鋼材質,配水冷套,可連續長時間工作;
5、氣路系統采用兩路質量流量計(可拓展多路),配預混系統;
6、氣體種類: He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6;
7、溫度、氣體、真空、冷卻水等通過PLC控制,通過PC實時控制和顯示相關的實驗參數,自動保存實驗參數,也可采用手動控制;
8、系統采用集成化設計,控制系統、混氣罐、質量流量計等均內置在箱體內部,占地面積小。整體安裝四個可移動輪子,方便整體移動。
產品參數
技術參數
HTF1200-2.5/20-2F-LV
HTF1200-5/20-4F-HV
HTF1200-6/40-2M-LV
HTF1200-8/40-4M-HV
最高溫度(℃)
1200
控溫精度(℃)
±1
加熱區直徑(mm)
25
50
60
80
加熱區長度(mm)
200
400
加熱管長度(mm)
450
1000
恒溫區長度(mm)
150
額定電壓(V)
220
額定功率(KVA)
1.2
3
真空機組
HTF-101
HTF-103
供氣系統
HTF-2F
HTF-4F
HTF-2M
HTF-4M
全國統一服務熱線
400—696—7879
半導體裝備:13321980672
碳材料裝備:18917553132
先進陶瓷及復合材料裝備:18930387422
鋰電及新能源裝備:13311665350