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        全國服務熱線:400—696—7879

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        總機:021-5109 5297

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        CVD系統

        CVD系統

        產品詳情高真空CVD系統是一款專業在沉底材料上生長高質量石墨烯、碳納米管、碳化硅的專用設備,廣泛應用于在半導體、納米材料、碳纖維、碳化硅、鍍膜等新材料新工藝領域...

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        高真空CVD系統是一款專業在沉底材料上生長高質量石墨烯、碳納米管、碳化硅的專用設備,廣泛應用于在半導體、納米材料、碳纖維、碳化硅、鍍膜等新材料新工藝領域。

        高真空CVD系統主要由高溫腔體、石英管、石英支架、氣路系統、分子泵機組、自動化控制系統、冷卻系統等組成。

        1、沉底材料可采用銅箔、石墨等;

        2、生長腔體采用進口高純石英管,配石英支架、為石墨烯等材料的生長提供潔凈環境;

        3、爐膛采用進口高純氧化鋁多晶體纖維,不易掉粉、壽命長且保溫性能好。加熱絲采用優質摻鉬鐵鉻鋁合金加熱絲,溫場均勻,能耗低;

        4、密封法蘭均采用不銹鋼材質,配水冷套,可連續長時間工作;

        5、氣路系統采用兩路質量流量計(可拓展多路),配預混系統;

        6、氣體種類: He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6;

        7、溫度、氣體、真空、冷卻水等通過PLC控制,通過PC實時控制和顯示相關的實驗參數,自動保存實驗參數,也可采用手動控制;

        8、系統采用集成化設計,控制系統、混氣罐、質量流量計等均內置在箱體內部,占地面積小。整體安裝四個可移動輪子,方便整體移動。


             技術參數

        HTF1200-2.5/20-2F-LV

        HTF1200-5/20-4F-HV

        HTF1200-6/40-2M-LV

        HTF1200-8/40-4M-HV

        最高溫度(℃)

        1200

        1200

        1200

        1200

        控溫精度(℃)

        ±1

        ±1

        ±1

        ±1

        加熱區直徑(mm)

        25

        50

        60

        80

        加熱區長度(mm)

        200

        200

        400

        400

        加熱管長度(mm)

        450

        450

        1000

        1000

        恒溫區長度(mm)

        80

        80

        150

        150

        額定電壓(V)

        220

        220

        220

        220

        額定功率(KVA)

        1.2

        1.2

        3

        3

        真空機組

        HTF-101

        HTF-103

        HTF-101

        HTF-103

        供氣系統

        HTF-2F

        HTF-4F

        HTF-2M

        HTF-4M