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        PECVD系統

        PECVD系統

        產品詳情PECVD工藝中由于等離子體中高速運行的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態容易發生反應;借助射頻等使含有薄膜組...

        發送詢盤

        PECVD工藝中由于等離子體中高速運行的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態容易發生反應;借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成離子體,而等離子體化學活性很強,很容易反應,在基片上沉積出所期望的薄膜;具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優點;

        1、整機采用SUS304不銹鋼材質,流線型外觀,真空吸附成型的優質高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛,保溫性能好。

        2、爐子底部裝有一對滑軌,移動平穩,可以手動從一端滑向另一端,實現快速的加熱和冷卻。爐蓋可開啟,可以實時觀察加熱的物料。

        3、采用高純石英管,高溫下化學穩定性強,耐腐蝕,熱膨脹系數極小。

        4、采用SUS304不銹鋼快速法蘭,通過用高溫“O”型圈緊密密封可獲得高真空,一個卡箍就能完成法蘭的連接,放、取物料方便快捷。

        5、加熱元件采用康奈爾發熱絲,表面負荷高、經久耐用。最高溫度1200℃,升溫速率10℃/min。

        6、可選配多路質量流量計,數字顯示、氣體流量自動控制;內置不銹鋼混氣箱,每路氣體管路均配有逆止閥,可通過控制面板上的旋鈕來調節氣體流量。

        等離子射頻電源:最大射頻功率達500W,輸出頻率13.56MHz±0.005%,輸入電源 208-240VAC, 單相50/60Hz。

         技術參數

        HTF1200-2.5/20-2M-LV-PE

        HTF1200-5/20-4M-LV-PE

        HTF1200-6/40-2M-HV-PE

        HTF1200-8/40-4M-HV-PE

        最高溫度(℃)

        1200

        1200

        1200

        1200

        控溫精度(℃)

        ±1

        ±1

        ±1

        ±1

        加熱區直徑(mm)

        25

        50

        60

        80

        加熱區長度(mm)

        200

        200

        400

        400

        加熱管長度(mm)

        450

        450

        1000

        1000

        恒溫區長度(mm)

        80

        80

        150

        150

        額定電壓(V)

        220

        220

        220

        220

        額定功率(KVA)

        1.2

        1.2

        3

        3

        射頻電源功率(W)

        5~300

        5~300

        5~500

        5~500

        真空機組

        HTF-101

        HTF-101

        HTF-104

        HTF-104

        供氣系統

        HTF-2F

        HTF-4F

        HTF-2M

        HTF-4M